RTP4-1200型全溫區(qū)快速退火爐

關(guān)鍵詞：快速退火爐，RTP, 200℃/S

RTP4-1200型快速退火爐快速熱處理退火爐簡(jiǎn)稱 RTP（Rapid Thermal Processing Furnace），在吸收了生產(chǎn)制造工藝的基礎(chǔ)上自主研發(fā)了該款產(chǎn)品。該設(shè)備不但擁有極快的升溫速率200℃/S，而且在燒結(jié)工藝運(yùn)行完結(jié)，直接將試樣在高溫區(qū)取出。實(shí)現(xiàn)物理狀態(tài)下的最快降溫。我們的工程師們巧妙地利用了冷壁工藝，在綠色節(jié)能環(huán)保的基礎(chǔ)上真正的實(shí)現(xiàn)了試樣的極速升降溫.多重保護(hù)功能，過(guò)溫報(bào)警，過(guò)熱報(bào)警，過(guò)熱自動(dòng)保護(hù)，水壓報(bào)警，水壓異常自動(dòng)保護(hù)是材料研究的重要設(shè)備，目前在各大高校，科研院所及生產(chǎn)單位廣泛使用。

一、RTP4-1200型快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域

快速熱退火 (RTA); 離子注入后退火

石墨烯等氣象沉積，碳納米管等外延生長(zhǎng)

快速熱氧化 (,RTO); 熱氮化 (RTN);

硅化 (Silicidation);

擴(kuò)散 (Diffusion);

離子注入后退火 (Implant Annealing);

電極合金化 (Contact Alloying);

晶向化和堅(jiān)化 (Crystallization and Densification);

化合物半導(dǎo)體：

√LED芯片

√光通訊芯片

√射頻芯片

√功率半導(dǎo)體芯片

2.應(yīng)用的工藝：

√離子注入后快速退火

√ITO鍍膜后快速退火

3.其他應(yīng)用領(lǐng)域：

氧化物、氮化物生長(zhǎng)

硅化物合金退火

砷化鎵工藝

歐姆接觸快速合金

氧化回流

其他快速熱處理工藝

產(chǎn)品特點(diǎn)：

可測(cè)大尺寸樣品：可測(cè)單晶片樣品的尺寸為1-8英寸。

壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。

存儲(chǔ)熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取，提高實(shí)驗(yàn)效率，數(shù)據(jù)可查詢。

快速升溫：最高升溫速率可達(dá)200℃/s。

程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展：可實(shí)現(xiàn)不同溫度段的精確控制，進(jìn)行降溫段的自動(dòng)轉(zhuǎn)接，并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存，方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量，最多可支持6路氣體，實(shí)現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等）下的熱處理。

全自動(dòng)智能控制：采用全自動(dòng)智能控制，包括溫度、時(shí)間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。

超高安全系數(shù)：采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施，保障設(shè)備使用安全。

分區(qū)控溫：分區(qū)域控制加熱功率，提高溫度均勻性。

RTP4-1200型快速退火爐主要技術(shù)參數(shù)：