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TF ANALYZER 2000E是一款擴展性的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲器等領(lǐng)域的研究。

鐵電壓電分析儀 TF Analyzer 1000 TF ANALYZER 1000是一款緊湊型鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電材料所有基本特性測試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，適用于薄膜、厚膜和塊狀陶瓷及鐵電器件等分析測試。

內(nèi)存窗口信息是基于對器件*集成后進行模擬電滯回線測量后得出的。 應用領(lǐng)域： 鐵電存儲器的生產(chǎn) 生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制，以便不會影響到CMOS生產(chǎn)過程 在MHz的操作速度下，單級電滯回線數(shù)據(jù) 優(yōu)點： 生產(chǎn)過程的工藝優(yōu)化 在MHz范圍的時間影響測試 適用于2T-2C 設計和1T-1C設計

本設備主要用來研究電子陶瓷材料的遲豫性能，也就是介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應。該測試能將材料的馳豫電流和漏電流分開，并可記錄極化響應電流和去極化響應電流。 技術(shù)說明：

雙光束激光干涉儀專門用于壓電薄膜的蝴蝶曲線和縱向壓電系數(shù)d33的測試。 這一臺適合于從小尺寸薄膜到8英寸晶圓表征的雙光束激光干涉儀。 半自動的系統(tǒng)用于8“晶圓上的MEMS器件的壓電性和電性相關(guān)性能的測試。 大量樣品測試的重復精度可達2%以上。

熱釋電性能測試儀 aixPYM (Pyroelectric Measurement) 本系統(tǒng)主要用于薄膜及塊體材料變溫的熱釋電性能測試。 薄膜材料變溫范圍：-196℃到+600℃； 塊體材料變溫范圍：室溫到200℃、室溫到600℃、室溫到800℃、-100℃到+600℃、-184℃到+315℃五種夾具可選。